半导体资料是资料发展一种沉要的工业资料，半导体资料随着科技的发展也进行升级换代，目前已经经历三代半导体。下面具体介绍半导体资料发展过程：

半导体资料第一代

第一代半导体资料重要以硅（Si）、锗（Ge）为主，20世纪50年代，Ge在半导体中占主导职位，重要利用于低压、低频、中功率晶体管以及光电探测器中，但是Ge半导体器件的耐高和善抗辐射机能较差，到60年代后期逐步被Si器件取代。用Si资料造作的半导体器件，耐高和善抗辐射机能较好。Si储量极其丰硕，提纯与结晶方便，二氧化硅（SiO2）薄膜的纯度很高，绝缘机能很好，这使器件的不变性与靠得住性大为提高，因而Si已经成为利用最广的一种半导体资料。目前95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是由Si资料造作。在21世纪，它的主导和主题职位仍不会颠簸。但是Si资料的物理性质限度了其在光电子和高频高功率器件上的利用。

半导体资料第二代

20世纪90年代以来，随着移动通讯的飞速发展、以光纤通讯为基础的信息高速公路和互联网的鼓起，以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表的第二代半导体资料起头崭露头脚。GaAs、InP等资料合用于造作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是造作高机能微波、毫米波器件及发光器件的良好资料，宽泛利用于卫星通讯、移动通讯、光通讯、GPS导航等领域。但是GaAs、InP资料资源稀缺，价值昂贵，并且还有毒性，能传染环境，InP甚至被以为是可疑致癌物质，这些弊端使得第二代半导体资料的应器拥有很大的局限性。

半导体资料第三代

第三代半导体资料重要蕴含SiC、GaN、金刚石等，因其禁带宽度（Eg）大于或蹬宗2.3电子伏特（eV），又被称为宽禁带半导体资料。和第一代、第二代半导体资料相比，第三代半导体资料拥有高热导率、高击穿场强、高鼓和电子漂移速度和高键合能蹬着点，能够满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣前提的新要求，是半导体资料领域最有远景的资料，在国防、航空、航天、石油勘探、光存储等领域有着沉要利用远景，在宽带通讯、太阳能、汽车造作、半导体照明、智能电网等多多战术行业能够降低50%以上的能量损失，最高能够使设备体积减幼75%以上。

半导体资料的迅速发展，对21世界科技文化极度沉要的作用，对人类科技的发展拥有里程碑的意思。半导体资料目前每个国度都在致力发展和研发新型半导体资料，每年都有分歧新型半导体资料研发出来。